環繞式閘極 – 台灣商業櫃台

環繞式閘極奈米線電晶體之飄移穩定性研究

本研究製作通道厚度約為7 奈米、寬度約為80 奈米的無接面(Junctionless) 及反轉. 式(Inversion Mode) 矽環繞式閘極奈米線電晶體。我們討論環繞式閘極在不同電壓.

2018年8月14日 - 是FinFET中已經被閘極給三面環繞的通道，在GAA中將是被閘極給四面 ... 要達到環繞式閘極的結構，最常見的是將通道做成"奈米線" (nanowire)或" ...

多閘極電晶體（英語：Mulitgate Device）是指集合了多個閘極於一體的金屬氧化物半導體場效電 .... 閘極全環（Gate-all-around，GAA）FET（或稱為「環繞式結構FET」）和FinFETs有相同的概念，不同之處在於此元件閘極圍繞了整個載子通道。依設計的 ...

在這篇論文中，我們僅採用簡單而低成本的方法成功製備了環繞式閘極(GAA)多晶矽無接面奈米線薄膜電晶體。在製備的過程中，雖然我們只利用到I-Line的微影技術 ...

2019年5月27日 - 電晶體中的「通道」讓電流在半導體源極和汲極之間流動，而「閘極」則是控 ... 左起：平面電晶體、完全空乏（鰭式）電晶體，以及環繞式閘極結構(GAA)電 ...

2016年12月27日 - 這個整合方案中的關鍵是雙重工作功能的金屬閘極，它可使n型和p型元件閾值電壓得以匹配。另外，IMEC還研究這種新架構對固有靜電放電(ESD) ...

2019年5月16日 - 關鍵字：三星電子；3奈米；GAA；節點設計；GAAFET；多閘極電晶體 ... 至於3奈米製程，將在明年(2020)完成開發3奈米製程「環繞式閘極 ...

再搭配上環繞式閘極增加閘極控制能力，提升元件開關能力以及降低漏電流。本篇論文開發出混合式無接面電晶體結構搭配溝槽式通道有著環繞式閘極和奈米 ...

本論文的研究目標為整合環繞式閘極奈米線場效電晶體與延伸式閘極感測晶片於微流道系統中進行即時偵測生物分子。首先利用電子束微影，製作出通道厚度7奈米、 ...

為改善此問題，本論文提出一種具環繞式閘極(Gate-all-around GAA)與超薄通道(Ultra-thin-body UTB)之新穎場效電晶體，稱G-UTBFET，透過增加閘極對通道的控制 ...